مخزن ذخیره سازی PTFE برای اچانت مس

مخزن ذخیره سازی عامل مس PTFE RANA با استفاده از فناوری پوشش PTFE ، بهینه شده است که برای ویژگی های عوامل اچینگ مس (که حاوی اجزای خورنده قوی مانند اسید نیتریک ، اسید هیدروکلریک یا عوامل پیچیده است) بهینه شده است. برای اطمینان از نتایج بهینه اچینگ ، عامل اچینگ مس باید نسبت ترکیب پایدار را حفظ کند. پایداری شیمیایی PTFE مانع از شستشوی مواد می شود ، که می تواند در فرمولاسیون عامل اچ کننده تداخل داشته و در برابر خوردگی مخزن مقاومت کند. دیواره داخلی صاف مخزن باقیمانده عامل اچ را کاهش می دهد و خطر آلودگی صلیب- را در هنگام پر کردن مجدد به حداقل می رساند.

مخزن ذخیره سازی در درجه اول در ساخت تابلوهای مدار الکترونیکی (PCB) و تابلوهای هسته نیمه هادی استفاده می شود. خوردگی آن - مقاوم و دما - خصوصیات مقاوم به آن اجازه می دهد تا نیازهای ذخیره سازی عوامل اچ را در دمای مختلف فرآیند ، مانند دمای محیط یا حدود 50 درجه گرمایشی برآورده کند. علاوه بر این ، مخزن به یک سطح مایع و رابط مانیتورینگ ترکیب مجهز شده است ، و این امکان را فراهم می کند-} نظارت بر وضعیت عامل اچینگ ، اطمینان از صحت اچینگ و عملکرد تابلوهای مدار یا تابلوهای اصلی.

تگ های محبوب: مخزن ذخیره شده PTFE برای اچانت مس ، کشتی های روکش شده برای مواد شیمیایی EL درجه